Wachstum von nicht- und semipolaren InAIGaN-Heterostruktu...
Wernicke, Tim
Optoelektronische Bauelemente auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) und seinen Legierungen InGaN und AlGaN emittieren Licht vom sichtbaren bis in den ultravioletten Spektralbereich. Bei fast allen GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden (LDs) sind die Kristalle entlang der polaren (0001)-Richtung orientiert, bei der sich eine stabile Wachstumsoberfläche ausbildet. Die resultierenden Polarisationseffekte haben allerdings negative Ausw...