V rabote resheny zadachi, swqzannye s polucheniem slozhnolegirowannyh kristallow twördyh rastworow Ge-Si c zadannym raspredeleniem osnownyh komponentow i primesej, a takzhe s izucheniem spektra primesnyh sostoqnij i älektrotransportnyh qwlenij w ätih materialah. V pfannowskom priblizhenii i w ramkah modeli wirtual'nogo kristalla dlq twördyh rastworow resheny matematicheskie zadachi raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah binarnyh sistem, wyraschennyh tradicionnym i modernizirowannym metodami Bridzhmena. Razrabotana metodika wyraschiwaniq kristallow Ge-Si c linejno rastuschej koncentraciej kremniq wdol' osi kristallizacii. Opredeleny rawnowesnye koäfficienty segregacii primesej Al i Sb w sisteme Ge-Si, demonstriruüschie linejnoe izmenenie ätogo parametra s sostawom kristalla mezhdu ih znacheniqmi w Ge i Si. Pokazano, chto matematicheskoe modelirowanie raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah Ge-Si, wypolnennoe w prinqtom w rabote priblizhenii, opredelqet optimal'nye znacheniq operacionnyh tehnologicheskih parametrow dlq wyraschiwaniq kristallow s zadannym sostawom i koncentraciej primesej wdol' osi kristallizacii.