K osnownym tendenciqm sowremennoj twerdotel'noj älektroniki otnosqtsq powyshenie rabochih chastot priborow i ustrojstw, a takzhe stremlenie ko wse bol'shej miniatürizacii i integracii funkcij älementow w predelah odnoj monolitnoj shemy. Poätomu, w nastoqschee wremq bol'shoj interes wyzywaet razrabotka twerdotel'nyh SVCh ustrojstw, soderzhaschih aktiwnye älementy s raspredelennymi parametrami. Ustrojstwa na wolnah prostranstwennogo zarqda w poluprowodnikah obladaüt shirokimi funkcional'nymi wozmozhnostqmi, kotorye analogichny wozmozhnostqm akustoälektronnyh ustrojstw, no prewoshodqt poslednie po rabochim chastotam bolee chem na porqdok. Dannye ustrojstwa mogut wypolnqt' w SVCh diapazone takie radiotehnicheskie funkcii, kak usilenie, generaciq, zaderzhka i izmenenie fazy signalow, a takzhe mnogie drugie. V dannoj rabote prowedeno issledowanie spektral'nogo preobrazowaniq pri parametricheskom wzaimodejstwii woln prostranstwennogo zarqda w tonkoplenochnyh poluprowodnikowyh strukturah na osnowe n-GaAs, n-InP ili n-GaN, opredeleny konkretnye podhody i rekomendacii po konstruirowaniü funkcional'nyh ustrojstw millimetrowogo diapazona na wolnah prostranstwennogo zarqda