O dióxido de vanádio é utilizado na fabricação de sensores e transdutores com aplicações em detecção, modulação e chaveamento ótico. Quando depositado na forma de um filme fino, apresenta transição de fase de estado sólido, que resulta em mudanças significativas nas propriedades elétricas e óticas do filme, transformando-se de semicondutor para metal, a depender da temperatura. O estudo teórico do desempenho de um dispositivo baseado no VO2 requer um modelo que descreva as características da histerese que este material exibe. Nesse sentido, o texto apresenta a aplicação do modelo de histerese de Preisach, adaptado para o VO2 e um modelo original cunhado de Proximidade ao Laço Principal (Limiting Loop Proximity (L2P) model). Resultados experimentais da modelagem e análise de desempenho para um sensor de radiação infravermelho são apresentados.