Widerstandsphotozellen, oder kurz Photowiderstände sind Photozellen, die unter Belichtung ihren inneren Widerstand reversibel verändern, die Än­ derung der Leitfähigkeit ist dann ein Maß für die Intensität der auffal­ lenden Strahlung. Einen solchen Effekt, den inneren lichtelektrischen Effekt, zeigen eine ganze Reihe von Substanzen, eine technische Anwen­ dung haben aber bisher nur sehr wenige gefunden, wie Selen, Thallium­ Sulfid, Bleisulfid und -selenid und neuerdings das Cadmium-Sulfid (1). Photowiderstände zeichnen sich einmal durch sehr hohe Photoströme, zum anderen durch eine verhältnismäßig weit ins Rote vorgeschobene langweI­ lige Grenze der Empfindlichkeit aus. Die Quantenausbeute, d.h. die Zahl der Elektronen, die pro absorbiertes Lichtquant an der Leitung teilneh­ men, kann 1 beträchtlich überschreiten und beim CdS beispielsweise Werte 5 von 10 und darüber erreichen, während Photokathoden bestenfalls 4-5 Elek­ tronen pro hundert absorbierte Quanten emittieren. Infolgedessen erhält man sehr hohe Ströme und kann deshalb häufig besondere Verstärkereinrich­ tungen und umständliche Abschirmungen ersparen und größere Leistungen di­ rekt aussteuern. Die langweIlige Grenze der Empfindlichkeit läßt sich bis zu einigen ~ ins Ultrarote vorschieben, also in ein Gebiet, in dem alle übrigen Empfänger außer den sehr unempfindlichen und trägen Thermo­ elementen und Bolometern versagen. Diesen Vorteilen stehen indessen eine Reihe schwerwiegender Nachteile gegenüber, die bislang, vor allem in Deutschland, eine technische An­ wendung in großem Maßstab verhindert haben.